RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
38
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
21
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3512
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link