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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
15.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3899
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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