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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
38
Por volta de -19% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2307
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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