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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston KC5N22-MIE 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
51
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KC5N22-MIE 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
51
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2805
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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