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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
47
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
47
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2486
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
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