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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
10.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
38
Por volta de -15% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
33
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2235
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
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