RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
89
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
89
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
1571
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link