RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
45
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
2714
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link