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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
46
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
15.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2072
3650
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Comparações de RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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