RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
47
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
36
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2589
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link