RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
47
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
22
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
3075
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link