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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3311
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.AU10C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
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