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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
50
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
50
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2064
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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