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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Pontuação geral
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AMD R538G1601S2LS 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13 left arrow 11.3
    Valor médio nos testes
AMD R538G1601S2LS 8GB Razões a considerar
AMD R538G1601S2LS 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 44
    Por volta de -57% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    44 left arrow 28
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.0 left arrow 11.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.2 left arrow 8.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2069 left arrow 1793

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM

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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

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