Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13 left arrow 12.8
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    42 left arrow 44
    Por volta de -5% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.0 left arrow 8.2
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    44 left arrow 42
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.0 left arrow 12.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.2 left arrow 9.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2069 left arrow 2011
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RAM 1
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