RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
45
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2843
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link