RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
56
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
56
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
15.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2795
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905403-512.A00LF 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link