RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
69
Por volta de 30% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
69
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
6.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
1598
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link