RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
48
Por volta de -118% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
22
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
17.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
4116
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link