RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
48
Por volta de -85% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
23.1
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
26
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
23.1
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
19.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
4276
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R948G3206U2S 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link