RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
48
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
31
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
9.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2640
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link