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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
48
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
31
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
9.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2361
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
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