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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
41
Por volta de -17% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
2068
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
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