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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
15.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3741
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
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