Comparação RAM Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Pontuação geral

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 40

Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

18.1 12.3

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.6 8.9

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 12800

Por volta de 1.66 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1789 3693

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns