RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
31
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
11.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2477
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link