RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
8.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
1998
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link