RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
24
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
12.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3204
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link