RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
47
Por volta de 36% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
47
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
8.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2640
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7S48G2400U2S 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link