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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
41
Por volta de -95% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
21
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1348
3042
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
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SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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