RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
38
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
23
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
21.1
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
23
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
23.0
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
21.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
4565
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link