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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
43
Por volta de -139% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
18
Velocidade de leitura, GB/s
11.0
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
15.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1393
3421
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
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