RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1763
3825
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link