RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
13.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
15.3
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
3733
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link