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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Pontuação geral
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Pontuação geral
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
77
Por volta de -196% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
1,884.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,936.9
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,884.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
564
2013
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
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