RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
10.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
15.7
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
3601
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston K531R8-MIN 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link