RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Comparar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
10.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
10.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2657
3105
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link