RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
41
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
3505
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link