RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
43
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
33
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1314
3013
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link