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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
38
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.1
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
34
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
9.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1406
2319
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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