RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
43
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
3047
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link