RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Comparar
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
45
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
14900
Por volta de 1.72 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
45
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.8
Largura de banda de memória, mbps
14900
25600
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2065
2925
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparações de RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link