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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
46
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1854
2709
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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