RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparar
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
42
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2152
3692
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link