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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
41
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
9.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1484
2361
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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