RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
44
Por volta de -159% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
17
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
21.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
17.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
3702
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link