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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
65
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
1,711.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,018.7
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,711.1
13.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
3371
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparações de RAM
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
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