RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Comparar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
65
Por volta de -141% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,711.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,018.7
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,711.1
13.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
3061
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparações de RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link