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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
59
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.8
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.1
2,076.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
41
Velocidade de leitura, GB/s
4,723.5
7.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,076.1
6.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
741
1512
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparações de RAM
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KY7N41-MID 8GB
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