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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Pontuação geral
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Pontuação geral
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 10
    Valor médio nos testes
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Razões a considerar
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    47 left arrow 59
    Por volta de -26% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.5 left arrow 2,076.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
    Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    59 left arrow 47
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,723.5 left arrow 10.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,076.1 left arrow 7.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    741 left arrow 2308

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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Memória RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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